N6 SiC功率模块为1200V半桥SiC Mosfet功率模块，模块导通电阻包含2.9mΩ、2.2mΩ、1.8mΩ等，满足车用系统高功率密度的需求。模块为半桥电路，内部采用多SiC芯片并联设计，通过串联门极电阻保证芯片均流。模块采用低电感、高效散热封装设计,模块功率回路杂散电感小于6.5nH。模块采用环氧注塑封装工艺，pinfin水冷散热基板直接水冷散热，模块内部采用高热导率、高可靠性的HPS和AMB散热绝缘基板。SiC芯片采用双面银浆烧结及铜线键合连接，优先增加模块使用寿命，模块通过175℃ AQG-324可靠性认证，可长期工作在175℃结温环境。